オージェ電子分光法(AES)
測定原理・特徴
AES(Auger Electron Spectrometry)とは、超高真空中で固体表面に電子線を照射した際に放出されるオージェ電子のエネルギーを測定する分析手法です。オージェ電子のエネルギーが元素固有であることと、脱出深さが数nmであることから、最表面の元素情報が得られます。
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当社のAES装置(PHI-650型) |
分析作業の情景 |
装置仕様
| 照射源 | 電子線(LaB6) |
|---|---|
| 分析領域 | ≧約0.5μmΦ |
| 検出元素 | Li以上 |
| 検出限界 | 1at.%程度 |
解析
照射源に電子線を使用することで、同時に2次電子線像を観察できるために、ミクロンオーダーで分析場所を選択することが可能です。
| 定性分析 | ピークエネルギー値から、Li以上の元素の分析が可能です。 |
|---|---|
| 半定量分析(at.%) | ピーク強度から、各元素の相対的な存在量を求めることが可能です。 |
| 深さ方向分析 | アルゴンイオンを併用し元素の深さ方向分布を知ることができます。 |
その他、線分析、面分析(マップ)など、最表面に限定した元素の分布を知ることができます。
測定例
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ガラス上 VN/V 多層膜の深さ方向分析 |
マップ分析;Si粒子/ C(10nm)/glass |
当社のAES装置は、データ解析ソフトも備えており、状態分析にも対応できる準備があります。一般的には、絶縁物分析は難しいといわれるAESですが、ガラス上の薄膜評価を中心に蓄積した技術により、材料の幅はプラスチック基板にまで及んでいます。お気軽にご相談下さい。
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